廣州金程科學(xué)儀器公司供應(yīng)的RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特 別適合于大學(xué)、科研院所，微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性?xún)r(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及 復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：

◆ 介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)

◆ 硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)

◆III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)

◆ 濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)

◆ 類(lèi)金剛石 (DLC)

等離子刻蝕機(jī)原理：

等離子蝕刻，也稱(chēng)為干法蝕刻，等離子刻蝕機(jī) 是一種利用等離子體對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕加工的 設(shè)備，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不ke或缺的設(shè)備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質(zhì)，通過(guò)控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類(lèi)、處理時(shí)間、平臺(tái) 溫度等工藝參數(shù)，選擇性地移除沉積層特定部分的 材料，將圖案蝕刻到基材上的過(guò)程。

應(yīng)用領(lǐng)域：主要用于微電子芯片、太陽(yáng)能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

儀器特點(diǎn)：

◆ 7寸彩色觸摸屏中英文互動(dòng)操作界面，自動(dòng)控制監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài)，20個(gè)配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)追溯。

◆ PLC 工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程，手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無(wú)污染。

◆ 采用防腐數(shù)字流量計(jì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，可輸入氧氣、氬氣、 氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。

◆ 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變單孔進(jìn)氣不均勻問(wèn)題。

◆  HEPA 高效過(guò)濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

◆ 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì)，操作方便，界面友好。

◆ 采用頂置真空艙，上開(kāi)蓋設(shè)計(jì)，下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式。

◆ 上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì)，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑154mm  晶元硅片。

◆ 安全保護(hù)，艙門(mén)打開(kāi)，自動(dòng)關(guān)閉電源，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

技術(shù)參數(shù)

備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵：分子泵抽速85L/s(N2)  極 限 真 空 ：LF<8*10-

6Pa,CF<8*10-7Pa。

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